C-33型 国产双面光刻机 精密光刻设备

主要用途和主要性能指标：

C-33型国产双面光刻机主要用途：

C-33型国产双面光刻机被广泛应用于中小规模集成电路、半导体元器件、以及声表面波器件的研制和生产。它的高级找平机构使其适用于各种材料的曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片等。

双面对准单面曝光：这台机器具备双面对准单面曝光功能，可以在一个工艺中对准并曝光两侧，提高了生产效率。

普通光刻机工作：除了双面对准单面曝光，它还可以执行普通光刻机的各种工作任务。

双面对准精度检查：此外，它还充当了一个检查双面对准精度的检查仪，确保产品的高质量和精确度。

C-33型国产双面光刻机主要性能指标：

高均匀性LED曝光头：

光强：不超过20毫瓦

曝光面积：100毫米×100毫米

曝光不均匀性：不超过3%

曝光强度：可调至不低于30毫瓦/平方厘米

紫外光束角度：不超过3度

紫外光中心波长：365纳米、404纳米、435纳米可选择

紫外光源寿命：不低于2万小时

电子快门精准控制

对准精度：1微米

曝光精度：1微米

套刻精度：1微米

观察系统：

采用上下各两个单筒显微镜，每个上装有四个CCD摄像头，通过视屏线连接到计算机和液晶显示屏。

单筒显微镜可连续变倍，范围从0.7倍至4.5倍。

CCD摄像机靶面对角线尺寸：1/3英寸，6毫米。

使用19英寸液晶监视器，数字放大倍率最高可达57倍。

观察系统的放大倍数范围：最小40倍，最大256倍，或者介于91倍至570倍之间。

右侧板上设有一个视屏转换开关，向左为下面两个CCD，向右为上面两个CCD。

计算机硬件和软件系统：

鼠标单击“开始对准”按钮，可以将监视屏上的图形记录下来，并将其处理为透明的，以便对新进图形进行对准。

鼠标双击左侧或右侧的图形，可以分别在整个屏幕上显示左侧或右侧的图形。

特殊的板架装置：

该装置可以装入152×152的板架，并对版进行真空吸附。

装置安装在机座上，能够围绕点A进行翻转运动，相对于承片台进行上下翻转运动，以便对上下版和上下片进行操作。

该装置可以反复翻转，回到承片台上的平面位置，重复精度不超过±1.5微米。

此装置具有补偿基片楔形误差的功能，确保上下版平面与上下片平面紧密接触，提高曝光质量。

承片台调整装置：

配备Φ75和Φ100两种承片台，每个承片台都有两个长方形孔，下面的两个CCD可以通过这些孔观察到板或片的下平面。

承片台可以进行X、Y、Z和θ运动，X、Y、Z的运动范围为正负5毫米，θ运动范围为正负5度。

承片台密着环可以实现“真空密着”，真空密着力可调，分为硬接触、软接触和微力接触。